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SPD26N06S2L-35

Mfr# SPD26N06S2L-35
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
RoHS 상태 납 함유 / RoHS 비 준수
추가 정보 International Rectifier (Infineon Technologies) SPD26N06S2L-35에 대한 자세한 정보
사양서 SPD26N06S2L-35.pdf

기술

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  • 유품:5400 pcs
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제품 모델 SPD26N06S2L-35
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 양 5400 pcs
사양서 SPD26N06S2L-35.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 26µA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 P-TO252-3
연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 35 mOhm @ 13A, 10V
전력 소비 (최대) 68W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 SP000013570
SPD26N06S2L35T
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 790pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 55V
상세 설명 N-Channel 55V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount P-TO252-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Tc)

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