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IPI020N06NAKSA1 Image
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IPI020N06NAKSA1

Mfr# IPI020N06NAKSA1
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
RoHS 상태 무연 / RoHS 준수
추가 정보 International Rectifier (Infineon Technologies) IPI020N06NAKSA1에 대한 자세한 정보
사양서 IPI020N06NAKSA1.pdf

기술

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  • 유품:10526 pcs
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제품 모델 IPI020N06NAKSA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 10526 pcs
사양서 IPI020N06NAKSA1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.8V @ 143µA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TO262-3
연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2 mOhm @ 100A, 10V
전력 소비 (최대) 3W (Ta), 214W (Tc)
포장 Bulk
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들 IPI020N06N
IPI020N06N-ND
SP000962132
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7800pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 106nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 N-Channel 60V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 29A (Ta), 120A (Tc)

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