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IPB015N08N5ATMA1

Mfr# IPB015N08N5ATMA1
Mfr. International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
RoHS 상태 무연 / RoHS 준수
추가 정보 INFINEON IPB015N08N5ATMA1에 대한 자세한 정보
사양서 IPB015N08N5ATMA1.pdf

기술

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  • 유품:12326 pcs
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제품 모델 IPB015N08N5ATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 12326 pcs
사양서 IPB015N08N5ATMA1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.8V @ 279µA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TO263-7
연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.5 mOhm @ 100A, 10V
전력 소비 (최대) 375W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
다른 이름들 IPB015N08N5ATMA1-ND
IPB015N08N5ATMA1TR
SP001226034
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16900pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 222nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 80V
상세 설명 N-Channel 80V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A (Tc)

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