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70V658S10BF8

Mfr#	70V658S10BF8
Mfr.	IDT (Integrated Device Technology)
기술	IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
RoHS 상태	납 함유 / RoHS 비 준수
추가 정보	IDT (Integrated Device Technology) 70V658S10BF8에 대한 자세한 정보

사양서	1.70V658S10BF8.pdf
	2.70V658S10BF8.pdf

기술

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~~유품:~~449 pcs
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제품 매개 변수
관련 상품

제품 모델	70V658S10BF8
제조사	IDT (Integrated Device Technology)
기술	IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 양	449 pcs
사양서	1.70V658S10BF8.pdf 2.70V658S10BF8.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	10ns
전압 - 공급	3.15 V ~ 3.45 V
과학 기술	SRAM - Dual Port, Asynchronous
제조업체 장치 패키지	208-CABGA (15x15)
연속	-
포장	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스	208-LFBGA
다른 이름들	IDT70V658S10BF8 IDT70V658S10BF8-ND
작동 온도	0°C ~ 70°C (TA)
실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	3 (168 Hours)
메모리 유형	Volatile
메모리 크기	2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스	Parallel
메모리 형식	SRAM
제조업체 표준 리드 타임	10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
기본 부품 번호	IDT70V658
액세스 시간	10ns